די חילוק צווישן Posiciselicon און Monocrystalline Silicon

סיליציום מאַטעריאַל איז די מערסט יקערדיק און האַרץ מאַטעריאַל אין די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע. די קאָמפּלעקס פּראָדוקציע פּראָצעס פון די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע קייט זאָל אויך אָנהייבן פון די פּראָדוקציע פון ​​יקערדיק סיליציום מאַטעריאַל.

מאָנאָקריוואַללינע סיליציום זונ גאָרטן ליכט

מאָנאָקריוואַללינע סיליציום איז אַ פאָרעם פון עלאַמענאַל סיליציום. ווען מאָם עלעמענט סיליציום סאַלידאַפייז, די סיליציום אַטאָמס זענען עריינדזשד אין דימענט לאַטאַס אין פילע קריסטאַל נוקלייי. אויב די קריסטאַל נוקלעי וואַקסן אין גריינז מיט די זעלבע אָריענטירונג פון קריסטאַל פלאַך, די גריינז וועט זיין קאַמביינד אין פּאַראַלעל צו קריסטאַלייז אין מאָנאָקריוואַליין סיליציום.

מאָנאָקריוואַללינע סיליציום האט די גשמיות פּראָפּערטיעס פון אַ קוואַזי מעטאַל און האט שוואַך עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי, וואָס ינקריסיז מיט ינקריסינג טעמפּעראַטור. אין דער זעלביקער צייט, מאַנאַקיסטאַללילילילינע סיליציאָן האט אויך באַטייטיק האַלב-עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי. הינטער-ריין מאָנסאָקריוואַללינע סיליציאָן איז אַן ינטרינסיק סעמיקאַנדאַקטער. אַלטראַ-ריין מאָנאָקיסטאַל סיליציום קענען זיין ימפּרוווד דורך אַדינג שפּור ⅲa עלעמענטן (אַזאַ ווי Boron) און P-טיפּ סיליקאָן סעמיקאַנדאַקטער קענען זיין געשאפן. אַזאַ ווי אַדישאַן פון שפּור ⅴa יסודות (אַזאַ ווי פאַספעראַס אָדער אַרסעניק) קענען אויך פֿאַרבעסערן די גראַד פון קאַנדאַקטיוואַטי, די פאָרמירונג פון N- טיפּ סיליציאָן סעמיקאַנדאַקטער.

פּאָליסעליסזונ ליכט

פּאָליסעליסאָן איז אַ פאָרעם פון די עלאַמענאַל סיליציום. די קלענזינג עלעמענטאַל סיליציום סאַלעבריטיז אונטער די צושטאַנד פון סופּערקאָאָלינג, סיליציום אַטאָמס זענען עריינדזשד אין פילע קריסטאַל נוקלייי אין די פאָרעם פון דימענט לאַטאַס. אויב די קריסטאַל נוקלעי וואַקסן אין גריינז מיט פאַרשידענע קריסטאַל אָריענטירונג, די גריינז פאַרבינדן און קריסטאַלייז אין פּאָליסעלסעלאַס. עס דיפערז פון מאָנאָקריוואַללינע סיליציום, וואָס איז געניצט אין עלעקטראָניק און זונ - סעלז, און פֿון אַמאָרפאַס סיליציום, וואָס איז געניצט אין דין-פילם דעוויסעס אוןזונ סעלז גאָרטן ליכט

די חילוק און קשר צווישן די צוויי

אין מאָנאָקריוואַללינע סיליציום, די קריסטאַל ראַם סטרוקטור איז מונדיר און קענען זיין יידענאַפייד דורך די מונדיר פונדרויסנדיק אויסזען. אין מאָנאָקריוואַללינע סיליציום, די קריסטאַל לאַטאַס פון די גאנצע מוסטער איז קעסיידערדיק און קיין קערל באַונדריז. גרויס איין קריסטאַלז זענען גאָר זעלטן אין נאַטור און שווער צו מאַכן אין דער לאַבאָראַטאָריע (זען רעקריסטאַלליזאַטיאָן). אין קאַנטראַסט, די שטעלעס פון אַטאָמס אין אַמאָרפאַס סטראַקטשערז זענען לימיטעד צו קורץ-קייט אָרדערינג.

פּאָליקריסאַללינע און סאַבקריסטאַללינע פייזעס צונויפשטעלנ זיך פון אַ גרויס נומער פון קליין קריסטאַלז אָדער מיקראָסריסטאַלז. פּאָליסעלסעלסאָן איז אַ מאַטעריאַל געמאכט פון פילע קלענערער סיליציום קריסטאַלז. פּאָליקריסעאַללינע סעלז קענען דערקענען געוועב דורך אַ קענטיק בלאַט מעטאַל ווירקונג. סעמיקאַנדאַקטער גראַדעס אַרייַנגערעכנט סאָלאַר מיינונג פּאָלאַסליקאָן זענען קאָנווערטעד צו קאָנווערטיד צו מאָנאָקרימילינע סיליציום, טייַטש אַז די ראַנדאַמלי פארבונדן קריסטאַלז אין די פּאָליסעליסאָן זענען קאָנווערטעד אין אַ גרויס איין קריסטאַל. מאָנאָקריוואַללינע סיליציום איז געניצט צו מאַכן רובֿ סיליקאַן-באזירט מיקראָעלעקטראָניק דעוויסעס. פּאָליסעליקאָן קענען דערגרייכן 99.999999% ריינקייַט. הינטער-פּורע פּאָליסעלליקסאָן איז אויך געניצט אין דעם סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע, אַזאַ ווי 2 - צו 3-מעטער לאנג פּאָליסעליקאָן ראַדז. אין מיקראָוילעקטראָניקס, פּאָליסעלסאָן האט ביידע מאַקראָו און מיקראָ וואָג. פּראָדוקציע פּראַסעסאַז פון מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום אַרייַננעמען די CZeckorasky פּראָצעס, זאָנע מעלטינג און ברידגמאַן פּראָצעס.

די חילוק צווישן Posysilicon און MonocryStalline Silicon איז דער הויפּט ארויסגעוויזן אין גשמיות פּראָפּערטיעס. אין טערמינען פון מעטשאַניקאַל און עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס, פּאָליסעלסיין איז ערגער ווי ערגער צו מאָטאָנקאַללינע סיליציום. פּאָליסעליסאָן קענען זיין געוויינט ווי רוי מאַטעריאַל פֿאַר צייכענונג מאָנאָקריסטאַליין סיליציום.

1. אין טערמינען פון אַניסאָטראָפּי פון מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס, אָפּטיש פּראָפּערטיעס און טערמאַל פּראָפּערטיעס, עס איז פיל ווייניקער קלאָר ווי דער טאָג ווי מאָנאָקריסטאַללינע סיליציום

2. אין טערמינען פון עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס, די עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי פון פּאָליסרעסטאַללינע סיליציום איז פיל ווייניקער באַטייַטיק ווי די פון מאָנאָקרימילינע סיליציום, אָדער אפילו כּמעט קיין עלעקטריקאַל קאַנדאַקטיוואַטי

3, אין טערמינען פון כעמישער טעטיקייט, די חילוק צווישן די צוויי איז זייער קליין, בכלל נוצן Polysilics more